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盛美半导体设备推出半关键清洗系列设备 拓宽

[ 发布日期:2020-05-15 09:38]

  新型刷洗设施Ultra C s以盛美在晶圆级封装范畴(WLP)已验证顺利的刷洗手艺为根本,延长使用于集成电路制作范畴。其装备的软刷能够采用精准的压力节制以洗濯晶圆边沿及后背的颗粒。该设施配有先辈的二流体(气体和液体)喷淋洗濯手艺,还可选配盛美独占的空间交变相位移(SAPS)兆声波手艺以餍足客户更高的需求——更强劲的小颗粒去除威力。模块化体系可设置装备安排8个腔体,用于集成电路制作范畴300毫米的晶圆洗濯,此中四个腔体用于反面洗濯工艺,四个腔体用于后背洗濯工艺。该刷洗设施性价比高,矫捷性强、占地面积小、产能高。

  该伯努利晶圆夹具采用了盛美的专利手艺,可通过节制晶圆和晶圆夹具之间空地的间距,来节制刻蚀后晶圆边沿的侧向刻蚀宽度,同时餍足刻蚀后晶圆边沿无夹具踪迹的要求。该设施可按照必要设置装备安排实现高产能,以婚配短工艺时间的使用,产能可达300片以上。也可选配先辈的无接触型机器手臂以实现超薄晶圆的传输。

  ,盛美半导体设施(NASDAQ:ACMR),近日公布了三款用于晶圆正、后背洗濯的湿法洗濯设施系列。这一系列设施包罗晶圆后背洗濯设施Ultra C b,主动槽式湿法洗濯设施Ultra C wb,和刷洗设施Ultra C s,它们将盛美立异的湿法工艺手艺扩展到了更普遍的使用范畴。

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  盛美半导体设施公司处置对先辈集成电路制作与先辈晶圆级封装制作行业至关主要的单片晶圆或槽式湿法洗濯设施、电镀设施、无应力抛光设施和热处置设施的研发、出产和发卖。并努力于向半导体系编制作商供给定制化、高机能、低耗损的工艺处理方案,来提拔他们多个步调的出产效率和产物良率。

  Ultra C系列的半环节湿法工艺设施现已面向市场,可零丁或组合出售。请接洽盛美公司响应区域的担任人领会更多消息。

  慎重声明:东方财产网公布此消息的目标在于传布更多消息,与本站态度无关。

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  “咱们中国的客户要求盛美除了供给使用于环节工艺步调中前沿的主打产物之外,也为他们供给其他的非前沿设施,咱们称之为 ”半环节设施“。这套设施能够供给高品质的工艺,以支撑客户出产链中要求较低但依然相当主要的步调。”盛美半导体设施董事长王晖暗示。“咱们开辟的Ultra C系列产物餍足了这一要求,扩展了产物链实现一站式办事,同时也为客户供给了更有合作力的产物。”

  这三款Ultra C系列新产物的方针市场是先辈集成电路范畴,功率器件范畴和晶圆级封装(WLP)范畴。晶圆后背洗濯Ultra C b和槽式湿法洗濯Ultra C wb设施现已在中国先辈半导体厂的量产中证了然它们的劣势。首台刷洗设施Ultra C s也已在2020年第一季度交付中国客户,在验收及格后即可确认支出。

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  Ultra C b是一款高性价比的晶圆后背洗濯设施,拥有优良的颗粒管控威力和刻蚀平均性节制威力,该设施三大环节使用别离为晶圆后背洗濯工艺,如金属去除或RCA洗濯;晶圆后背湿法硅刻蚀工艺,如晶圆后背湿法减薄或湿法硅通孔显露(TSV reveal);以及晶圆收受接督工艺中的多晶硅层、氧化层和氮化层等膜层剥拜别除。该设施可处置高翘曲度晶圆,合用于处置200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。

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  进行晶圆后背洗濯时,利用保守的夹拥有可能对晶圆反面会带来毁伤,该设施的晶圆夹具与保守的夹持体例分歧,它操纵了伯努利效应,使晶圆悬浮于晶圆夹具上,而晶圆反面与夹具间无物理接触。当洗濯化学药液喷淋到晶圆后背进行工艺的时候,晶圆带器件的一壁就会由夹具喷出的氮气(N2)对其进行庇护。

  主动槽式洗濯设施Ultra C wb,依靠盛美研发的槽式与单片洗濯集成设施Ultra C Tahoe的先辈槽式手艺根本而开辟,能够进行多达50片晶圆的批量洗濯。主动槽式洗濯设施的环节使用为炉管前洗濯,RCA洗濯,光阻去除,氧化层刻蚀,氮化硅去除,以及晶圆收受接督工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥拜别除,和后段BEOL金属层剥拜别除。该设施可针对分歧的使用设置装备安排分歧的化学药液槽,如硫酸,磷酸,氢氟酸(HF),缓冲氧化物刻蚀液(BOE), SC1和SC2等化学药液槽。晶圆顺次在化学药液槽中浸泡,经去离子水(DI)冲刷,最初在AT干燥模块中以汽化的异丙醇(IPA)进行干燥,干燥后无水痕。该设施的模块化设想和较小的占地面积,使其可矫捷设置装备安排。槽式洗濯设施Ultra C wb可高效地收受接受利用化学药水,节能减排。该设施可使用于200毫米或者300毫米的晶圆洗濯使用。

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